产品别名 |
三极管,双极型晶体管,功率晶体管,晶体三极管 |
面向地区 |
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N是负极的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而P是正极的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，
从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。
发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
特性
1、通态特性：大注入下基区和集电区发生调制效应，通态压降很低
2、开关特性：关断过程中的电流集中现象：由于基区存在自偏压效应，在晶体管关断过程中使发射极边缘部分反偏，边缘关断而中心仍导通，于是出现电流集中现象
3、二次击穿特性，和所有继电器一样。值得说明的是当次雪崩击穿后，加在BJT上的能力超过临界值才产生二次击穿，也就是说二次击穿需要能量。
主要应用
1、作为放大器，应用在电源串联调压电路，音频和超声波放大等领域。
2、作为大功率半导体开关，电视机行输出电路，电机控制，不停电电源和汽车电子。
3、GTR模块，应用于交流传动，逆变器和开关电源。
工作模式
1、当BE结正偏、CB结反偏时，功率晶体管处于放大模式。
2、当BE结合CB结均正偏时，功率晶体管处于饱和模式。
3、当BE结零偏或反偏、CB结反偏时，功率晶体管处于截止模式。
功率晶体管的放大作用表现为：用较小的基极电流可以控制较大的集电极电流；或者将较小的功率按比例放大为较大的功率。
主要参数
1、额定电压。
2、电流定额：集电极大电流Icm，集电极持续电流Ic。
3、集电极大耗散功率：Pcm（管壳为25℃时）。
4、高结温Tmj（一般为150℃）。
5、开关时间：开通时间、存储时间、下降时间。
