曲靖M4D9-17划片刀

半导体晶圆切割用划片刀头在切割时，线速度是一个非常重要的参数，可以直接影响到切割效率和切割质量。 以下是关于金刚石刀头切割过程中线速度的介绍： 线速度是指切割线每分钟旋转的圈数，单位为m/min。 线速度过快，金刚石颗粒就会被削短，使刀头变钝，而且金刚石颗粒很容易掉落，影响切割质量。 线速度过慢，刀头会过度磨损，切割效率低下。 金刚石刀头切割时，应根据不同的材料选择合适的线速度。

划片刀又称金刚石划片刀，包含三个主要元素：金刚石颗粒的大小、密度和粘结材料。 金刚石颗粒在晶圆的切割过程中起着研磨剂的作用，通常是由CBN (Cubic Boron Nitride)合成而来。 金刚石颗粒尺寸从２um到8um之间变化。 为达到更好的切割质量，通常选用带棱角的金刚石颗粒。 金刚石颗粒的密度代表着金刚石颗粒占金刚石刀片的体积比。

刀刃部分采用精密电铸工艺制备而成，刀刃厚度范围：10μm~100μm，微粉粒径范围：1500#~5000#。

拥有6档磨粒集中度等级，适用晶圆种类范围更广；具有出色的通用性，能够适应各种复杂场景的划切需求，包括切割道内含有金属、 Pl/PO等各类工况；在切割水含有CO2的环境中，表现出的耐腐蚀性能；在划切超厚晶圆时（如晶圆级封装芯片），槽型可稳定保持垂直状态。

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主要用于对半导体硅晶圆、化合物半导体晶圆（SiC、GaAs、GaP等）、氧化物半导体晶圆（LiTaO3 等）等半导体晶圆进行、精密划切，实现芯片单体化。

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崩边

正崩主要发生在晶圆的切割面（正面），背崩是指晶圆背面的崩边。不管正崩与背崩，在晶圆划片时都是不被允许的。崩边产生的原因有：

1，不恰当的切割参数导致崩边

2，刀片磨损严重，钝化的刀片边缘增加了切割过程中的不规则作用力，从而增加了崩边的可能性

3，刀片中的金刚石等磨料颗粒在切割过程中与晶圆表面材料发生撞击，导致崩边
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颗粒越大，刀片寿命越长；颗粒越小，刀片寿命越短。 颗粒集中度的影响 颗粒集中度对划片质量也非常关键。 关于相同的金刚石颗粒大小会消费出不同集中度的刀片，划片效果也会有很大差别。 目前，划片刀常见有5种规格，分别是：50、70、90、110、130。 依据实践测试得出，高集中度的金刚石颗粒，划片阻力小，划片速度快，，还能够延长划片刀的寿命，减少晶圆正面崩缺