关键词 |
INFINEON/英飞凌IGBT模块模组 |
面向地区 |
封装 |
SOP8 |
FF75R12RT4模块具有以下主要特点：
BSM200GB120DN2模块具有以下主要特点：
额定电压：1200V
额定电流：200A
大导通电压降：1.8V
大漏电流：200A
封装类型：模块封装
该模块采用了英飞凌的技术和设计，具有率、高可靠性和低功耗的特点。它经过严格的测试和验证，以确保其性能和质量符合行业标准和客户需求。
F3L200R07W2S5F_B11
简介: 中功率MOSFET模块。
概述: 适用于中等功率的电源转换和电机控制。
特性:
低导通电阻。
高开关效率。
内置保护功能。
封装: TO-220或类似封装。
应用: 电源管理、电机控制、消费电子。
BSC026N08NS5ATMA1
简介: MOSFET。
概述: 适用于高功率开关应用。
特性:
高电流和电压额定值（260A/80V）。
低导通电阻（Rds(on)）。
高开关频率支持。
封装: TO-263或类似封装。
应用: 开关电源、电机驱动、逆变器。
SAK-TC234L-32F200F
简介: 32位微控制器。
概述: 适用于汽车电子和工业控制。
特性:
TriCore内核。
大容量Flash和RAM。
支持多种通信接口（CAN、LIN等）。
封装: LQFP封装。
应用: 汽车电子、工业控制、电机控制。
IDH16G65C6XKSA1
简介: 二极管模块。
概述: 适用于高功率整流应用。
特性:
高电流和电压额定值（16A/650V）。
低正向电压。
高可靠性。
封装: 模块化封装。
应用: 电源整流、开关电源、逆变器。
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